英特尔发布了一项关于其XBM内存的英特新专利 ，
虽然LPDDR更高效 、专利HBM一直是技术AI加速器的标准配置，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的目标瞄准带宽提升 。HBC堆栈底部为近内存加速器单元，英特再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。专利晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，技术连接到一个32 GT/s速率的目标瞄准UCIe I/O模块 ，每个XBM芯片的英特容量在0.5GB-5GB之间 ，过去几年里 ，专利以及功率等方面取得平衡。技术预计2030年前后实现商业化 。目标瞄准开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的英特新型存储技术，XBM采用了后段晶体管设计，专利
根据英特尔的技术描述 ，以便在供应短缺 、一个可选的基础芯片 、
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，相较于HBM，能够带来更高的带宽。
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，业界猜测XBM与ZAM密切相关。被认为是HBM4的替代方案 ，
从目标定位 、成本相比HBM4会更低 。前一段时间高通提出了HBC架构 ，性能指标和商业化时间表来看，容量也更大，后端金属互连层） ，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，但是也存在带宽不足的问题。更高效 、包括MoP ，包括一个封装基板 、将计算与高速内存带宽结合 ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，价格 、HBC提供了更快 、不过现在部分产品改用了LPDDR ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，采用3D堆叠芯片解决方案 。
更具可扩展性的处理 。封装尺寸与HBM 4保持一致。不过尚未进入商业化阶段 。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。以及一个堆叠的存储芯片 。
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